Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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BSC070N10NS5 MOSFET Power Electronics Low Gate Charge N Channel Mosfet

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BSC070N10NS5 MOSFET Power Electronics Low Gate Charge N Channel Mosfet

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Number modelo :BSC070N10NS5
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
tensão da Dreno-fonte (Vdss) :700V
Tensão da Porta-fonte (Vgs :± 20 V
Drene a corrente (a identificação) :70A
Em-resistência da Dreno-fonte (RDS) :0,025 ohms
Em-resistência da Dreno-fonte (RDS (sobre)) :7mΩ
Temperatura de junção máxima (Tj) :175°C
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BSC070N10NS5MSOFETPoderEletrônicoDispositivoAltoDesempenhoeRelviávelPoderTrocaringSolução

MOSFET de canal N, BSC070N10NS5

Descrição do produto:

O BSC070N10NS5 é um MOSFET de canal N de alta velocidade e alta tensão com baixa resistência de fonte de dreno.Possui baixa carga de porta, baixa capacitância de saída, tempos de comutação rápidos e baixa carga de porta para dreno.Este MOSFET é ideal para uso em comutação de alta frequência, fontes de alimentação, conversores DC-DC e outras aplicações de alta frequência.

Características:

- MOSFET de canal N
- Comutação de alta velocidade
- Baixa resistência na fonte de dreno
- Baixa taxa de porta
- Baixa capacitância de saída
- Tempos de comutação rápidos
- Baixa carga do portão ao dreno

Especificações:

- Número da peça: BSC070N10NS5
- Configuração: Canal N
- Tensão da fonte de dreno (Vdss): 700 V
- Tensão Gate-Source (Vgs): ± 20 V
- Corrente de Drenagem (Id): 70 A
- Resistência de fonte de dreno (Rds): 0,025 ohm
- Máxima Dissipação de Potência

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