Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Chip IC de circuito integrado CY14B108N-BA25XI - capacidade de memória de 8 Mbit e operação em baixa tensão

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Chip IC de circuito integrado CY14B108N-BA25XI - capacidade de memória de 8 Mbit e operação em baixa tensão

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Number modelo :CY14B108N-BA25XI
Lugar de origem :Multi-origem
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :99999
Prazo de entrega :1-7days
Detalhes de empacotamento :Padrão
Estado do produto :Ativo
Tipo da memória :Permanente
Formato da memória :NVSRAM
tecnologia :NVSRAM (SRAM permanente)
Tamanho de memória :8Mbit
Organização da memória :512K x 16
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CY14B108N-BA25XI

Descrição:

Este é um dispositivo de RAM estática de 8Mbit (SRAM) de alto desempenho com recursos avançados para aplicativos de memória de uso geral.Este dispositivo apresenta tempos de acesso rápidos e baixo consumo de energia ativo e em espera.Está disponível nas tensões de alimentação padrão de 5V e 3,3V da indústria.

Características:

- Tempo de acesso rápido de 25ns
- Baixo consumo de energia ativo e em stand-by
- Capacidade de 8Mbits
- Tensões de alimentação de 5V e 3,3V padrão da indústria
- Pacote padrão da indústria: TSOP-48/44/40/32

Por que comprar conosco >>>Rápido / Seguro / Conveniente


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