Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Microplaqueta de CY62137FV30LL-55ZSXE IC para soluções do armazenamento da memória de SRAM da baixa potência

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Microplaqueta de CY62137FV30LL-55ZSXE IC para soluções do armazenamento da memória de SRAM da baixa potência

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Número do modelo :CY62137FV30LL-55ZSXE
Lugar de origem :original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1 - 3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Estado do produto :Ativo
Tipo da memória :Temporário
Formato da memória :SRAM
Tecnologia :SRAM - Assíncrono
Tamanho de memória :2Mbit
Organização da memória :128K x 8
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Microplaqueta de CY 62137 FV 30LL-55ZSXE IC para soluções do armazenamento da memória de SRAM da baixa potência

 

 

 

 

Descrição do produto:
 
 
O CY62137FV30LL-55ZSXE é uma microplaqueta do circuito integrado projetada pelo semicondutor de Cypress. É uma baixa potência, a memória de acesso aleatório estática de capacidade elevada (SRAM) que caracteriza uma tensão de funcionamento 1.8V e uma tensão da retenção dos dados 3V. Está disponível nas densidades 4Mb e 8Mb com um modo à espera da baixa potência. É projetado fornecer uma taxa de dados de alta velocidade de até 133 megahertz e apoia modos estourados assíncronos e síncronos.
 
Parâmetros do produto:
 
• Pacote: TSOP-55
Densidade de memória: 4Mb/8Mb
Tensão de funcionamento: 1,8 V
Tensão da retenção dos dados: 3V
• Frequência de pulso de disparo máxima: 133 megahertz
• Modos estourados assíncronos/síncronos
• Modo à espera da baixa potência

 

 

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Microplaqueta de CY62137FV30LL-55ZSXE IC para soluções do armazenamento da memória de SRAM da baixa potência

 

 

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