Armazenamento de dados e retenção a longo prazo de capacidade elevada das microplaquetasde memória Flashda TA25QL512ABB 1EW9- 0SENTE 8- WDFN

- (64M x 8) memória Flash 512Mb total
- fonte de alimentação 3.3V
- I/O 3.3V
- Restauração do H/W e do S/W
- Apoios até o pulso de disparo 50MHz
- Os apoios comandam o grupo e o grupo de instrução
- Relação periférica da série dos apoios (SPI)
- Apoios duplos e quadrilátero SPI
- Os apoios contínuos escrevem e o setor apaga
- Incremento do endereço dos apoios auto
- Programação do registro do estado dos apoios
- Identificação padrão dos apoios JEDEC
- Os apoios obstruem a proteção dos bocados do fechamento
- Identificação da segurança dos apoios
- CCE dos apoios e de correção de erros
- Variação da temperatura dos apoios de -40°C a 85°C

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Armazenamento de dados e retenção a longo prazo de capacidade elevada das microplaquetas de memória Flash de MT25QL512ABB1EW9-0SIT 8-WDFN

Tipo da memória	Permanente
Formato da memória	FLASH
Tecnologia	FLASH - NEM
Tamanho de memória	512Mbit
Organização da memória	64M x 8
Relação da memória	SPI
Frequência de pulso de disparo	133 megahertz
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página	8ms, 2.8ms
Tensão - fonte	2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamento	-40°C ~ 85°C (TA)
Montando o tipo	Montagem de superfície
Pacote/caso	8-WDFN expôs a almofada
Pacote do dispositivo do fornecedor	8-WPDFN (8x6) (MLP8)

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Microplaqueta programável de IC

Microplaqueta de IC do circuito integrado

Unidade do microcontrolador de MCU

Microplaquetas de IC dos componentes eletrônicos

Microplaquetas de memória Flash

Eletrônica de poder do MOSFET

Módulo de poder de IGBT

Transistor do diodo de IC

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flash memory datasheet

512 microsd

microsd 512