Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Elevado desempenho de Chips Voltage 3V da memória Flash W631GG6MB-11

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Elevado desempenho de Chips Voltage 3V da memória Flash W631GG6MB-11

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Número do modelo :W631GG6MB-11
Lugar de origem :original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1 - 3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Mfr :Eletrônica de Winbond
Tipo da memória :Temporário
Formato da memória :GOLE
Tecnologia :SDRAM - DDR3
Tamanho de memória :1Gbit
Organização da memória :64M x 16
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Armazenamento de dados de Chips High Performance For Faster da memória Flash W631GG6MB-11

 

 
Descrição do produto:
 
 
 
Esta microplaqueta de memória Flash W631GG6MB-11 é uma solução de capacidade elevada e eficaz na redução de custos para aplicações encaixadas. Caracteriza um 6MB da série NEM a memória Flash e uma velocidade de relógio máxima de 66MHz. Vem com uma tensão de funcionamento 3V e tensão do I/O 1.8V/3V. O dispositivo igualmente apoiam SPI, o duplo/quadrilátero SPI, e os protocolos de QPI.
 
 
 
Parâmetros do produto:
 
- Capacidade: 6MB
- Velocidade de relógio máxima: 66MHz
- Tensão de funcionamento: 3V
- Tensão do I/O: 1.8V/3V
- Protocolos apoiados: SPI, duplo/quadrilátero SPI, e QPI
 
 
 
 

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Elevado desempenho de Chips Voltage 3V da memória Flash W631GG6MB-11
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