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Consumo da memória Flash CI Chip High Performance Low Power de AT45DB021E-SSHN-T
Lista do produto:
Microplaquetas de memória Flash de AT45DB021E-SSHN-T
Características:
• Operação de baixa tensão (2.7V-3.6V)
• 32Mbit da capacidade de armazenamento da memória
• 2.7V à tensão de fonte 3.6V
• tamanho de página mínimo de 4.096 bytes
• Única operação da fonte
• Resistência alta (até 100.000 apagam/escrevem ciclos)
• tamanho de bloco mínimo de 8.192 bytes
• Tempo de programação rápido (10 µs típicos)
• Consumo da baixa potência
• Variação da temperatura prolongada (- 40C a +85C)
• relação do I/O 1.8V e 3.3V
• JEDEC Pinout padrão
• Variação da temperatura industrial (- 40C a +85C)
• Tempo de acesso de alta velocidade (45ns)
• Relação periférica de série (SPI)
• Empacotamento: 8 pino PDIP
Estado do produto | Ativo | |
Programável | Verificado | |
Tipo da memória | Permanente | |
Formato da memória | ||
Tecnologia | FLASH | |
Tamanho de memória | ||
Organização da memória | 264 bytes x 1024 páginas | |
Relação da memória | SPI | |
Frequência de pulso de disparo | 70 megahertz | |
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | 8µs, 3ms | |
Tensão - fonte | 1.65V ~ 3.6V | |
Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TC) | |
Montando o tipo | ||
Pacote/caso | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | 8-SOIC | |
Número baixo do produto |
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