Produto: Transistor de poder de HMC442LC3BTR RF
Descrição:
O HMC442LC3BTR é um ganho alto, poder médio GaN sic no FET da heterojunção que é apropriado para o uso em uma vasta gama de aplicações que incluem militar, aeroespacial, e comercial.
Características:
- Ganho alto, poder médio GaN sic no FET da heterojunção
- 50 W CW potências de saída
- ganho 10,2 do DB
- Operação de 28 V
- Eficiência elevada
- Operação de alta frequência
- Baixa distorção
- Linearidades altas
- De baixo nível de ruído
- Construção áspera
Pacote: pacote de 2-Pin TO-263
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