Ganho alto de baixo nível de ruído do elevado desempenho do transistor de poder de HMC536LP2E RF
Transistor de poder de HMC536LP2E
Descrição do produto:
O HMC536LP2E é um amplificador de potência do pHEMT MMIC do GaAs que se opere entre a C.C. e os 6 gigahertz. Este amplificador é projetado para aplicações tais como rádios pontos a ponto, rádios point-to-multipoint e VSATs.
Características:
• Ganho: DB 14,5
• Saídas de potência: dBm +28
• P1dB: dBm +26
• Figura de ruído: DB 3,2
• Drene a eficiência: 20%
• Tensão de funcionamento: +5V
• Impedância do entrada/saída: 50 ohms
• Temperatura de funcionamento: -40°C a +85°C
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