Transistor de poder de HMC199MS8ETR RF para o ganho e a eficiência altos
Transistor de poder de HMC199MS8ETR RF
Descrição do produto:
O HMC199MS8ETR é um transistor de poder GaN-baseado do RF que use a tecnologia a mais atrasada do nitreto do gálio (GaN). É projetado para o uso em aplicações do poder superior até 2-500MHz, e fornece o desempenho e a eficiência proeminentes. Tem um ganho do poder superior de 28.5dB e um máximo potência de saída de 200W. O HMC199MS8ETR caracteriza um projeto térmico de capacidade elevada que permita a dissipação de calor excelente e permita a operação a níveis do poder superior.
Características e benefícios:
- Ganho do poder superior de 28.5dB
- Potência de saída até 200W
- Eficiência elevada e desempenho proeminente
- Projeto térmico de capacidade elevada
- Tamanho compacto e peso leve
- Escala de frequência larga de 2-500MHz
- Operação de alta temperatura
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