Desempenho de baixo nível de ruído do poder superior do transistor de poder de HMC849ALP4CETR RF
Transistor de poder de HMC849ALP4CETRR RF
Características do produto:
- Frequência de funcionamento: até 4.5GHz
- Ganho: 11-14dB
- potência de saída Único-terminado: +30dBm
- Tipo do pacote: Montagem de superfície
- Ganho do poder: 16dB
- VSWR entrado: máximo do 1.5:1
- Tensão máxima da Dreno-fonte: 20V
- Tensão máxima da Porta-fonte: 10V
- Em-resistência da Dreno-fonte: 0,4 ohms
Aplicações:
- Infraestrutura celular
- Sistemas de comunicação militares
- Redes locais sem fio (WLAN)
- Sistemas de comunicação Wideband
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