Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Consumo da baixa potência do elevado desempenho de IC da microplaqueta do semicondutor de IRS2301STRPBF

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Consumo da baixa potência do elevado desempenho de IC da microplaqueta do semicondutor de IRS2301STRPBF

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Number modelo :IRS2301STRPBF
Lugar de origem :Multi-origem
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :99999
Prazo de entrega :1-7days
Detalhes de empacotamento :Padrão
estado do produto :no estoque
configuração do motorista :meia ponte
tipo de canal :Destacado
número de movimentações :2
Tipo da porta :IGBT, MOSFET do N-canal
Tensão - fonte de alimentação :5V ~ 20V
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Produto: Microplaqueta de IC do semicondutor de IRS2301STRPBF

 

Descrição:

 

A microplaqueta de IC do semicondutor de IRS2301STRPBF é um motorista IC da porta projetado para o uso em aplicações do motorista do alto-lado e da porta do baixo-lado. Este dispositivo caracteriza uma proteção incorporado do fechamento da bomba e do undervoltage de carga. A microplaqueta igualmente tem uma parada programada térmica integrada, a saída procura um caminho mais curto a proteção, e uma entrada da lógica com histerese.

 

Características:


- Motorista IC da porta para o alto-lado e as aplicações do baixo-lado
- Bomba de carga incorporado e proteção do fechamento do undervoltage
- A parada programada e a saída térmicas integradas procuram um caminho mais curto a proteção
- Entrada da lógica com histerese

Pacote: SOIC-8

Tensão de funcionamento: 6V a 20V

Temperatura de funcionamento: -40℃ a +125℃

Tensão da saída: 1.2V a 20V

Corrente de saída: 1.5A

Atraso de propagação: 850ns

Tempo da elevação/queda: 200ns/400ns

Entrada da lógica: 2.4V a 5.5V

Características do produto:
• Escala da tensão de funcionamento: 10V a 600V
• Corrente de saída: 4A
• Variação da temperatura de funcionamento: -40 a 125°C
• Dimensões: 6 x 6 milímetros
• Consumo da baixa potência
• Frequência de comutação alta
• Procurar um caminho mais curto a proteção
• Imunidade de ruído alta
• Desempenho alto de EMI/RFI
• Estabilidade térmica alta

 

 

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