Guangzhou Sande Electric Co.,Ltd.
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Módulo do transistor do módulo de poder MG200Q1US51 de Toshiba IGBT
MG200Q1US51
Descrição do produto
Fabricado perto: Toshiba América, Inc.
Número da peça: MG200Q1US51
Categoria da parte: Transistor
Descrição: 300A, 1200V, N-CANAL IGBT
Tensão do Coletor-emissor: 1200V
Tensão do Porta-emissor: 20V
Corrente de coletor (C.C.): 300A
Corrente dianteira: (C.C.): 200A
Dissipação de poder do coletor: 1500W
Temperatura de junção: 150C
Tensão do isolamento (C.A. 1 mínima): 2500V
Capacidade entrada (VCE=10V, VGE=0, f=1MHz): 24nF
Tempo de comutação: (Carga indutiva VCC=600V, IC=200A, VGE=15V, RG=4.7Ω)
- Tempo de ligação: tipo 0.05s.
- Tempo de elevação: tipo 0.05s.
- Tempo de ligação: tipo 0.2s.
- Tempo de atraso da volta-fora: tipo 0.5s.
- Tempo de queda: tipo 0.1s. ; máximo 0.3s.
- Tempo da volta-fora: tipo 0.6s.
Tensão dianteira (IF=200A, VGE=0): tipo 2.4V. ; 3.5V máximo
Tempo de recuperação reversa: tipo 0.15s. ; máximo 0.3s.
(IF=200A, VGE=-10V, di/dt=700A/s)
F&A
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