TIPO ISOLADO USO de COMUTAÇÃO semicondutor do PODER SUPERIOR de CM100TU-24H de Mitsubishi Electric
Semicondutor de Mitsubishi Electric
TIPO ISOLADO USO DE COMUTAÇÃO DO PODER SUPERIOR DE QM7E2Y-H
Semicondutor de Mitsubishi Electric
TIPO ISOLADO USO de COMUTAÇÃO semicondutor do PODER SUPERIOR de CM1000HA-24H de Mitsubishi Electric
TIPO ISOLADO USO de COMUTAÇÃO semicondutor do PODER SUPERIOR de CM10DU-12H de Mitsubishi Electric
TIPO ISOLADO USO de COMUTAÇÃO semicondutor do PODER SUPERIOR de CM200E3U-12H de Mitsubishi Electric
TIPO ISOLADO USO de COMUTAÇÃO semicondutor do PODER SUPERIOR de CM200DY-28H de Mitsubishi Electric
TIPO ISOLADO USO de COMUTAÇÃO semicondutor do PODER SUPERIOR de CM30DU-F de Mitsubishi Electric
TIPO ISOLADO USO de COMUTAÇÃO semicondutor do PODER SUPERIOR de CM600HU-12H de Mitsubishi Electric
TIPO ISOLADO USO de COMUTAÇÃO semicondutor do PODER SUPERIOR de QM100TX1-H de Mitsubishi Electric
TIPO ISOLADO USO DE COMUTAÇÃO DO PODER SUPERIOR DE QM200DY-2HB

Descrição:

Os módulos de Mitsubishi IGBT são projetados para o uso em aplicações de comutação. Cada módulo consiste em dois IGBTs em uma configuração da metade-ponte com cada transistor que tem um diodo super-rápido re-verso-conectado da livre-roda da recuperação.

Características: Recuperação Super-rápida discreta do baixo VCE da baixa movimentação (se sentou) ٗ de Powerٗ

A Livre-roda Diodeٗ Operationٗ de alta frequência isolou a placa de base para fácil

Naufrágio do calor

Aplicação: Controlo do motor da C.A.

Movimento/servocontrol

Fontes de alimentação de solda

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Etiquetas de Produtos:

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