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Transistor de uso geral de BC337 NPN CARACTERÍSTICAS • Atual alto (máximo 500 miliampères) • Baixa tensão (máximo 45 V). APLICAÇÕES...
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Amplificador de potência do amplificador 2.4GHz 802.11b/g/n WLAN de TXtelsig YP242434 Wifi RF O YP242434 é um amplificador de potência de alta potên......
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Circuitos integrados N/A 2SC2782 do microcontrolador de IC MCU dos componentes 2SC2782 eletrônicos Especificação a...
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RD06HVF1 RF POWER MOSFET Transistor de silício 175MHz 6W para aplicações de amplificadores Descrição de RD06HVF1 RD06HVF1 é um transistor tipo MOS FET ......
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amplificador de potência da classe de 3U 4 X 400W AB com os transistor de poder de TOSHIBA (MA-4400) Detalhes rápidos: Transistor GRANDE de Atopt ......
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Tipo mosfet de alta tensão do FET do MOS RD06HVF1 do poder do mosfet da baixa potência do transistor DESCRIÇÃO RD06HVF1 é um tipo transistor do...
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original 2N4416 através do furo JFET N - canal - Ciss do ponto baixo de 30 V CARACTERÍSTICAS • Geometria de InterFET N0026S • De baixo nível d...
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