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Transistor de poder do Mosfet 600V CoolGaN do transistor de poder IGT60R070D1ATMA1 do Mosfet
Característica
• Transistor do modo do realce – normalmente FORA do interruptor
• Interruptor ultrarrápido
• Nenhuma carga da reverso-recuperação
• Capaz da condução reversa
• Baixa carga da porta, baixa carga da saída
• Aspereza superior da comutação
• Qualificado para aplicações industriais de acordo com padrões de JEDEC (JESD47 e JESD22)
Benefícios
• Melhora a eficiência de sistema
• Melhora a densidade de poder
• Permite uma frequência de funcionamento mais alta
• Economias da redução de custo do sistema
• Reduz o IEM
Categorias | Transistor de poder do Mosfet |
---|---|
IGT60R070D1ATMA1 | |
Polaridade do transistor | N-canal |
Canal não. | 1 canal |
Em-resistência da fonte do escapamento | 70 mOhms |
Configurar | Escolha |
Dissipação do Paládio-poder | 125 W |
Tensão do ponto inicial da fonte da th-porta de Vgs | 0,9 V |
Teste padrão do canal | Realce |
FAQ:
Q1: Que artigos que do pagamento nós podemos se usar?
Segurança/transferência electrónica/MoneyGram do comércio de AliBaba
Western Union/pagamento de Paypal/WeChat/pagamento de Ali
Q2: Que é o cartão de crédito Chanels?
Segurança/Paypal do comércio de AliBaba
Q3: Quando pode você entregar meu produto?
Envie-nos por favor a cópia da remessa quando os pagamentos feitos, de modo que nós possamos arranjar os bens.