Capacitor Co. de Shenzhen Weitaixu, Ltd
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Mosfet BVDSS do transistor de poder DMHT3006LFJ-13 do Mosfet V-DFN5045-12: 25V-30V
Descrição
Este MOSFET é projetado minimizar a resistência do em-estado (o RDS (SOBRE)), contudo mantenha o desempenho superior do interruptor, fazendo lhe o ideal para aplicações da gestão do poder da eficiência elevada.
Característica
Baixo da Em-resistência
Baixo da capacidade da entrada
complacente de totalmente sem chumbo & inteiramente RoHS (notas 1 & 2)
O halogênio e o antimônio livram. Dispositivo do “verde” (nota 3)
mecânico dos dados
Caso: V-DFN5045-12
Material do caso: Plástico moldado, - composto moldando do ‖ verde. Classificação da inflamabilidade do UL que avalia o 94V-0
Sensibilidade de umidade: Nível 1 pelo J-STD-020
Terminais: Revestimento – NiPdAu sobre Leadframe de cobre.
Solderable por MIL-STD-202, do método 208
Peso: 0.056grams (aproximado)
| Categorias | MOSFET BVDSS DO MOSFET: 25V-30V |
|---|---|
| DMHT3006LFJ-13 | |
| Polaridade do transistor | N-canal |
| Canal não. | Canal 4 |
| Em-resistência da fonte do escapamento | 10 mOhms |
| Temperatura de trabalho | -55C a +150C |
| Dissipação do Paládio-poder | 2,1 W |
| Tensão do ponto inicial da fonte da th-porta de Vgs | 30 V |
| Configurar | Quadrilátero |
FAQ:
Q1: Que chanels fazem você?
Expresso: DHL/UPS/TNT/Fedex/EMS/Aramex etc.
AirPost: Cargo dos Cargo-NL/Singapura/ePacket/CDEK/
Comércio eletrónico do cargo/DHL de Hong Kong/PTT etc.
Cargo normal: Cargo etc. de China.
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