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SE03N6S01GZ ESD Array Proteção ESD de baixa capacidade Voltagem de funcionamento 3.3V IR Máximo 0,5μA

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Shenzhen Socay Electronics Co., Ltd.
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
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SE03N6S01GZ ESD Array Proteção ESD de baixa capacidade Voltagem de funcionamento 3.3V IR Máximo 0,5μA

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Número do modelo :Se o produto não for utilizado, deve ser retirado do mercado.
Local de origem :Shenzhen Guangdong China
Quantidade mínima de encomenda :10000pcs
Tempo de entrega :5-8 dias úteis
nome componente :Arrays de ESD
Pacote de componentes :DFN1006-2L
Vrwm (máximo) :3.3V
Vbr (min.) :5.0V
Vbr (máximo) :5.0V
- Não. :1mA
Ir (max.) :0.5 μA
Vc (tipo) (Ipp=1A) :6.0V
Vc (tipo) (Ipp=5A) :10.0V
Cesd :12pF
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Equipamento de proteção contra ESD de baixa capacidade SE03N6L01GZ Tensão de funcionamento 3.3V

 
 
Características das matrias ESD:

  • Voltagem de funcionamento: 3,3 V
  • Baixa fuga: nA Nível
  • Baixa capacidade
  • Voltagem de fixação extremamente baixa
  • Compatível com a RoHS

 

Aplicações de matrizes ESD:

  • Telefone celular e acessórios
  • Interface visual digital (DVI)
  • Circuitos de RF
  • Portão de exibição
  • Portas USB
  • Portos MDDI
  • PCI Express

 

Características mecânicas das matrizes ESD:

  • DFN1006 (1.0x0.6x0.5mm) Embalagem
  • Peso 0,5 miligramas (aproximadamente)
  • Quantidade por rolo: 10.000 pcs
  • Tamanho do rolo: 7 polegadas
  • Finalização livre de chumbo

 

Diagrama funcional de matrizes ESD:

SE03N6S01GZ ESD Array Proteção ESD de baixa capacidade Voltagem de funcionamento 3.3V IR Máximo 0,5μA

 

 

Arrays ESD Classificações máximas absolutas (T)A= 25°C, salvo indicação em contrário):

 
Símbolo Parâmetro Valor Unidades
TL Temperatura de solda por chumbo 260 (10 segundos) oC
TOP Intervalo de temperatura de funcionamento -55 a +125 °C
TGST Intervalo de temperatura de armazenamento -55 a +150 °C
VESD ESD por IEC61000-4-2 (Ar) ± 25 kV
  ESD de acordo com a norma IEC61000-4-2 (contacto) ± 25  

 

 

 

Características elétricas (TA=25°C, salvo indicação em contrário):

Parâmetro Símbolo Condições Minha. Tipo. Max. - O quê? Unidades
Voltagem de funcionamento inversa VRWM - Não. - Não. - Não. 3.3 V
Tensão de ruptura VBR IT = 1mA 3.5 5.1 5.0 V
Corrente de vazamento IR VRWM = 3,3 V - Não. - Não. 0.5 μA
Voltagem de travagem VC IPP = 1A, tP = 8/20μs - Não. 6.0 - Não. V
Voltagem de travagem VC IPP = 5A, tP = 8/20μs - Não. 10.0 - Não. V
Capacidade de junção CJ VR = 0V, f = 1MHz - Não. 0.5 - Não. pF

 

 

DFN1006-2L Esboço e dimensões do pacote:

Símbolo Milímetros Centimetros
  Minha. Max. - O quê? Minha. Max. - O quê?
A 0.450 0.550 0.018 0.022
A1 0.010 0.070 0.000 0.003
D 0.950 1.050 0.037 0.041
E 0.550 0.650 0.022 0.026
D1 0.450 REF 0.018 REF
E1 0.400 REF 0.016 REF
b 0.275 0.325 0.011 0.013
e 0.675 0.725 0.027 0.029
L 0.275 0.325 0.011 0.013
L1 0.010 REF 0.000 REF

 

SE03N6S01GZ ESD Array Proteção ESD de baixa capacidade Voltagem de funcionamento 3.3V IR Máximo 0,5μA

 

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