Beijing MITSCN Co., Ltd.
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RS6-555-575N tipo N (182-144 módulo monofacial)
Adequado para usinas terrestres e projetos distribuídos
A tecnologia de módulo avançada oferece eficiência de módulo superior
·Wafer dopado com gálio·Corte não destrutivo ·Meio corte MBB
Excelente desempenho de geração de energia
·Excelente IAM e fraca resposta à luz ·Classificações de baixa temperatura ·0,40% linear Declínio de energia
A alta qualidade do módulo garante confiabilidade a longo prazo
·Material rigorosamente selecionado ·Tecnologia avançada ·Padrão líder
Técnicas de revestimento autolimpante ultra-hidrofílico
| Características Elétricas STC | RS6-555N-E3 | RS6-560N-E3 | RS6-565N-E3 | RS6-570N-E3 | RS6-575N-E3 |
| Potência Máxima (Pmax) | 555W | 560W | 565 W | 570 W | 575 W |
| Tolerância de energia | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W |
| 21,48% | 21,68% | 21,87% | 22,07% | 22,26% | |
| Corrente de Potência Máxima (Imp) | 13.16A | 13.21A | 13.27A | 13.32A | 13.38A |
| Tensão Máxima de Potência (Vmp) | 42,20V | 42,40V | 42,60V | 42,80V | 43,00 V |
| Corrente de Curto Circuito (Isc) | 13.93A | 13.99A | 14h05A | 14.11A | 14.17A |
| Tensão de Circuito Aberto (Voc) | 50,40V | 50,60V | 50,80V | 51,00 V | 51,20V |
| Valores em condições de teste padrão STC(AM1.5, Irradiância 1000W/m2, Temperatura da Célula 25°C) | |||||
| Características Elétricas NOCT | RS6-555N-E3 | RS6-560N-E3 | RS6-565N-E3 | RS6-570N-E3 | RS6-575N-E3 |
| Potência Máxima (Pmax) | 421 W | 424 W | 428W | 432 W | 436 W |
| Corrente de Potência Máxima (Imp) | 10.61A | 10,65A | 10,70A | 10.74A | 10.79A |
| Tensão Máxima de Potência (Vmp) | 39,60V | 39,80V | 40,00 V | 40,20V | 40,40V |
| Corrente de Curto Circuito (Isc) | 11.23A | 11.28A | 11.33A | 11.38A | 11.42A |
| Tensão de Circuito Aberto (Voc) | 48,20V | 48,40V | 48,60V | 48,70V | 48,90V |