Eletrônica Co. de Wuxi Xuyang, Ltd.

Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

Manufacturer from China
Dos Estados-activa
6 Anos
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Diodo HS3M da eficiência elevada de SMD 3A 1000V usado para circuitos integrados

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Eletrônica Co. de Wuxi Xuyang, Ltd.
Província / Estado:jiangsu
País / Região:china
Pessoa de contato:MsBixia Wu
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Diodo HS3M da eficiência elevada de SMD 3A 1000V usado para circuitos integrados

Pergunte o preço mais recente
Número de modelo :HS3M
Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :3000pcs
Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :500000pcs/mês
Tempo de entrega :5 - 8 dias do trabalho
Detalhes de empacotamento :fita no carretel, 3000pcs/reel
número da peça :HS3M
Atual :3A
tensão :1000v
Pacote :SMC/DO-214AB
SPQ :3000pcs
Temperatura de operação :-55°C a +150°C
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Diodo de retificador HS3M da eficiência elevada de SMD Used Integrated Circuits

 

CARACTERÍSTICAS

 

Microplaqueta passivated de vidro da junção.
Para a aplicação montada de superfície
Baixa queda de tensão dianteira
Pacote do perfil baixo
Relevo incorporado da mancha, ideal para a colocação automática
Interruptor rápido para a eficiência elevada
Solda de alta temperatura: segundos 260℃/10 em terminais
O material plástico usado leva a classificação 94V-O do laboratório dos seguradores

 

DADOS MECÂNICOS

 

Casos: Plástico moldado
Terminais: Solda chapeada
Polaridade: Indicado pela faixa do cátodo
Embalagem: fita de 12mm por E1A STD RS-481
Peso: 0,21 gramas

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS E CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

Os otherwies dos uniess da temperatura ambiental da avaliação 25 C especificaram.
Carga da semionda, do 60Hz, a resistive ou a indutiva da fase monofásica.
Para a carga capacitiva, derate atual por 20%.

TIPO NÚMERO HS3A HS3B HS3D HS3F HS3G HS3J HS3K HS3M Unidade
Tensão reversa do pico periódico máximo 50 100 200 300 400 600 800 1000 V
Tensão máxima do RMS 35 70 140 210 280 420 580 700 V
Tensão de obstrução máxima da C.C. 50 100 200 300 400 600 800 1000 V

Atual retificado dianteiro médio máximo

.375" comprimento da ligação (de 9.5mm) em Ta=55℃

3,0
Corrente de impulso dianteiro máxima, única meia seno-onda de 8,3 Senhoras sobreposta na carga avaliado (método de JEDEC) 150
Tensão dianteira instantânea máxima em 3.0A 1,0 1,3 1,7 V

Reverso máximo Ta=25℃ atual da C.C.

na tensão de obstrução avaliado Ta=100℃ da C.C.

10,0

 

200

μA

 

μA

Tempo de recuperação reversa máximo (nota 1) 50 75 nS
Capacidade de junção típica (nota 2) 80 50 PF
Variação da temperatura de funcionamento TJ -55 +150
Variação da temperatura TSTG do armazenamento -55 +150


NOTAS:
1. condição de teste do tempo de recuperação reversa: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A
2. medido em 1MHz e em tensão reversa aplicada de C.C. 4.0V

3. Montado no PWB com 0,6"” (16 x 16 milímetros) áreas de cobre da almofada x0.6.

 

Desenho:

Diodo HS3M da eficiência elevada de SMD 3A 1000V usado para circuitos integrados

Diodo HS3M da eficiência elevada de SMD 3A 1000V usado para circuitos integrados

 

O melhor controle de qualidade:

1. Original & novo somente
2. A maioria preço competitivo & melhor de serviço
3. fonte de amostra & entrega rápida

4. Garantia da qualidade 90 dias (nenhuns artigos usada não podem ser reembolsados ou substituído).

5. Nós temos o estoque, bem-vindo para tomar a amostra para o teste.

 

Métodos do pagamento:

· T/T

· Western Union

· Paypal

· o outro termo do pagamento como você gosta.

 

Maneira de envio:

Transporte internacional expedido (FEDEX, DHL, UPS, TNT) custou normalmente 4-6 dias

 

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