Eletrônica Co. de Wuxi Xuyang, Ltd.

Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

Manufacturer from China
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Diodos de interruptor rápidos 1N4448 do sinal pequeno de uso geral com caso DO-35

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Eletrônica Co. de Wuxi Xuyang, Ltd.
Província / Estado:jiangsu
País / Região:china
Pessoa de contato:MsBixia Wu
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Diodos de interruptor rápidos 1N4448 do sinal pequeno de uso geral com caso DO-35

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Número de modelo :1N4448
Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :5000pcs
Termos do pagamento :T / T, Western Union
Capacidade da fonte :100000pcs por 1 semana
Tempo de entrega :5 - 8 dias do trabalho
Detalhes de empacotamento :fita na caixa, 5000pcs/box
nome :Diodo de interruptor
número da peça :1N4448
VR :75V
Processo :DO-35
Temperatura de junção :175°C
A temperatura de armazenamento :– 65 a +175°C
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diodo pequeno de alta velocidade do diodo de interruptor 1N4448 único com caso DO-35

 

 

Características

 

• Diodo planar Epitaxial do silicone

• Diodo de comutação rápido.

• Este diodo está igualmente disponível em outros estilos do caso que incluem o caso SOD-123 com o tipo

designação 1N4448W, o exemplo de MiniMELF com o tipo designação LL4148, o SOT-23

caso com o tipo designação IMBD4148.

.

Dados mecânicos

Caso: Caixa de vidro DO-35

Peso: aproximadamente 0.13g

 

Avaliações máximas e características térmicas (Ta = 25°C salvo disposição em contrário)

Parâmetro Símbolo Limite Unidade
Tensão reversa VR 75 V
Tensão reversa máxima VRM 100 V

Corrente retificada média

Correção de meia onda com carga Resistive em Tamb = em 25°C

SE (AVOIRDUPOIS) 150 miliampère
Corrente dianteira do impulso em t < 1s e Tj = 25°C IFSM 500 miliampère
Dissipação de poder em Tamb = em 25°C Ptot 500 mW
Junção da resistência térmica ao ar ambiental RθJA 350 °C/W
Temperatura de junção Tj 175 °C
Temperatura de armazenamento TS – 65 a +175 °C

 

Características elétricas (TJ = 25°C salvo disposição em contrário)

Parâmetro Símbolo Condição de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
Tensão dianteira VF

SE = 5mA

SE = 100mA

0,62

0,70

1,0

V
Escapamento atual IR

VR = 20V

VR = 75V

VR = 20V, TJ = 150°C

25

5

50

nA

μA

μA

Tensão de divisão reversa V (BR) R IR = 100ìA (pulsados) 100 V
Capacidade Ctot VF = VR = 0V 4 PF
Tempo de recuperação reversa trr

SE = 10mA, IR = 1mA,

VR = 6V, RL = 100Ù

4 ns
Eficiência de correção nanovolt f = 100MHz, VRF = 2V 0,45

 

Desenho:

Diodos de interruptor rápidos 1N4448 do sinal pequeno de uso geral com caso DO-35

Diodos de interruptor rápidos 1N4448 do sinal pequeno de uso geral com caso DO-35

 

nosso serviço:

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