Eletrônica Co. de Wuxi Xuyang, Ltd.

Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

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diodo de barreira SS32-SS36 de Schottky da montagem da superfície 3.0A com pacote do perfil baixo

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Eletrônica Co. de Wuxi Xuyang, Ltd.
Província / Estado:jiangsu
País / Região:china
Pessoa de contato:MsBixia Wu
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diodo de barreira SS32-SS36 de Schottky da montagem da superfície 3.0A com pacote do perfil baixo

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Número de modelo :SS32-SS36
Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :3000pcs
Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :500000pcs/mês
Detalhes de empacotamento :3000pcs/box
Nome do produto :SS32-SS36
Atual :3.0A
tensão :20-60V
SPQ :30000pcs/box
Pacote :SMB
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diodo de superfície do pacote SMD do retificador SS32-SS36 SMC da barreira de Schottky da montagem 3.0A

 

 

CARACTERÍSTICAS:

 

* ideal para a aplicação de superfície da picareta e do lugar da montagem
* pacote do perfil baixo
* perda de baixa potência, eficiência elevada
* capacidade atual alta, baixo Vf

* capacidade de impulso alta

* solda de alta temperatura garantida: 260 segundos C/10 em terminais

 

DADOS MECÂNICOS

 

• Terminal: Chapeado conduz solderable por
MIL-STD 202E, método 208C
• Caso: Moldado com Vo da classe UL-94
chama reconhecida - cola Epoxy retardadora
• Polaridade: A faixa da cor denota o cátodo

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS E CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

Avaliações em 25 temperaturas ambientais de C salvo disposição em contrário.
A carga indutivo monofásica de fase 60Hz de meia onda, resistive ou, para a corrente capacitiva da carga derate por 20%

 

TIPO NÚMERO SS22 SS23 SS24 SS25 SS26 UNIDADES
Tensão reversa do pico periódico máximo 20 30 40 50 60 V
Tensão máxima do RMS 14 21 28 35 42 V
Tensão de obstrução máxima da C.C. 20 30 40 50 60 V
Corrente retificada dianteira média máxima em T L 300 2,0

Corrente de impulso dianteiro máxima, única meia seno-onda de 8,3 Senhoras

sobreposto na carga avaliado (método de JEDEC)

50
Tensão dianteira instantânea máxima em 2.0A

0,50

 

0,70 V
Reverso máximo Ta=25 atual C da C.C. 0,5 miliampère
na tensão de obstrução avaliado Ta=100 da C.C.C 20,0 miliampère
Capacidade de junção típica (Note1) 200 PF
Resistência térmica típica Rq JA (nota 2) 25 o C/W
Temperatura de junção do armazenamento e da operação -65 a +150 o C


Desenho:

 

diodo de barreira SS32-SS36 de Schottky da montagem da superfície 3.0A com pacote do perfil baixo

 

 

 

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