Divisão pequena dos diodos de semicondutor da caixa do diodo DO-35 de Schottky do sinal da série SD101
Características
- junção do Metal-em-silicone, condução do portador de maioria
- Capacidade atual alta, baixa queda de tensão dianteira
- Extremamente - baixo reverso IR atual
- Ultra características de comutação da velocidade
- Coeficiente de temperatura pequeno de características dianteiras
- Eficiência satisfatória da detecção de onda
- Cirits de comutação de alta velocidade super, retificador atual pequeno
- A solda de alta temperatura garantiu: segundos 260℃/10 em terminais
- Componente do acordo a RoHS 2015/863/EU
Aplicações
1. HF-detector
2. Circuito de proteção
3. Carregador de bateria pequeno
4. AC/DC, conversores de DC/DC
Construção
Planar epitaxial do silicone
Avaliações máximas absolutas
Tj=25℃
| Parâmetro | Condições de teste | Tipo | Símbolo | Valor | Unidade |
| tensão inversa máxima | | SD101A | VRRM | 60 | V |
| SD101B | VRRM | 50 | V |
| SD101C | VRRM | 40 | V |
| Única onda quadrada máxima do impulso 10us do ciclo | | | IFSM | 2 | |
| Dissipação de poder | Tamb=25℃ | | Picovolt | 400 | mW |
| Variação da temperatura do armazenamento | | | Tstg | -55~+150 | ℃ |
Características elétricas
Tj=25℃
| Parâmetro | Condições de teste | Tipo | Símbolo | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade | | Queda de tensão dianteira | IF=1mA | SD101A | VF | | | 0,41 | V | | SD101B | | | 0,4 | | SD101C | | | 0,39 | | IF=15mA | SD101A | VF | | | 1 | V | | SD101B | | | 0,95 | | SD101C | | | 0,9 | | escapamento atual | VR=50V | SD101A | IR | | 1 | 0,2 | μA | | VR=40V | SD101B | | | 0,2 | | VR=30V | SD101C | | | 0,2 | | Capacidade de junção | VR=VF=0, f=1MHz | SD101A | Ctot | | | 2,0 | PF | | SD101B | | | 2,1 | | SD101C | | | 2,2 | | Tempo de recuperação reversa | IF=IR=200mA a 0.1mA | | trr | | | 1 | ns | |
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