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Retificador de ponte Passivated de vidro monofásico MB1S do diodo de Mini Silicon SMD MB6S MB10S
CARACTERÍSTICAS
1. Os ampères da sobrecarga rating-30 de Surage repicam
2. Ideal para a placa de circuito impresso
3. Baixa utilização custada segura da construção moldada
4. Dispositivo passived de vidro
5. Símbolos da polaridade moldados no corpo
6. Posição de montagem: Alguns
7. Peso: 0,5 gramas
Dados mecânicos
Cola Epoxy: O dispositivo tem a classificação flammabiltiy 94V-0 do UL
O UL alistou o diretório componente reconhecido, file#E94233
Avaliações máximas
Catálogo Número | Dispositivo Marcação | Máximo Rccurrent Reverso máximo Tensão | Máximo RMS Tensão | Máximo C.C. Obstrução |
MB05S | MB05S | 50V | 35V | 50V |
MB1S | MB1S | 100V | 70V | 100V |
MB2S | MB2S | 200V | 140V | 200V |
MB4S | MB4S | 400V | 280V | 400V |
MB6S | MB6S | 600V | 420V | 600V |
MB8S | MB8S | 800V | 560V | 800V |
MB10S | MB10S | 1000V | 700V | 1000V |
Características elétricas @ 25°C salvo disposição em contrário
Médio envie Atual | SE (AVOIRDUPOIS) | 0.5A 0.8A | Note1 Ta = 30°C Note2 Ta = 30°C |
Impulso dianteiro máximo Atual | IFSM | 30A | 8.3ms, meio seno |
Máximo Instantâneo Tensão dianteira | VF | 1.0V | IFM = 0.5A; Ta = 25°C |
C.C. máxima Corrente reversa em Obstrução avaliado da C.C. Tensão | IR | 5 miliampères | Ta = 25°C |
Junção típica Capacidade | CJ | 25pF | Medido em 1.0MHz, VR=4.0V |
Note1. Medido em 1,0 megahertz e em tensão reversa aplicada de 4,0 volts
Note2. No alume: PWB da carcaça com um rea de 0,8 x de 0,8 x de 0,25"
(20 x 20 x 6.4mm) mounte em 0,05 x em 0,05" (13 x 13 milímetros) almofada da solda.
Teste do pulso: Largura de pulso 300msec, ciclo de dever 1%
Tamanho:
Por que nos escolha?
1. ISO9001: fábrica certificada 2008
2. 20 anos de experiência rica na produção do diodo
3. O controle restrito da qualidade, consegue a satisfação máxima do cliente
4. A capacidade de produção anual é mais de 2 bilhões