HK UPPERBOND INDUSTRIAL LIMITED
LIMITADO INDUSTRIAL DA HK UPPERBOND
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MK8D brandnew avançou o transistor do fabricante de cigarro da tecnologia de processamento
Um transistor é um dispositivo de semicondutor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos e a corrente elétrica. Os transistor são um dos blocos de apartamentos básicos de eletrônica moderna. É composta do material do semicondutor geralmente com pelo menos três terminais para a conexão a um circuito externo.
1. IRFZ44NS/LPbF
| Parâmetro | Mínimo. | |
| V (BR) DSS | Tensão de divisão da Dreno-à-fonte | 55 |
| △仏 Tj de V (BR) DSS | Temp da tensão de divisão. Coeficiente | — |
| RDS (sobre) | Em-resistência estática da Dreno-à-fonte | — |
| VGS (th) | Tensão do ponto inicial da porta | 2,0 |
| gts | Transcondutância dianteira | 19 |
| bss | Corrente do escapamento da Dreno-à-fonte | — |
| — | ||
| perda | Escapamento dianteiro da Porta-à-fonte | — |
| Escapamento reverso da Porta-à-fonte | — | |
| Qg | Carga total da porta | — |
| Qgs | Carga da Porta-à-fonte | — |
| Qgd | Carga do Porta-à-dreno (“Miller”) | — |
| TD (sobre) | Tempo de atraso de ligação | — |
| tr | Tempo de elevação | — |
| TD (fora) | Tempo de atraso da volta-Fora | — |
| tf | Tempo de queda | — |
| Ls | Indutância interna da fonte | — |
| Cjss | Capacidade entrada | — |
| Coss | Capacidade de saída | — |
| Crss | Capacidade reversa de transferência | — |
| Eas | Única avalancha Energy® do pulso | — |
2. Mecanismo
Uma tensão ou uma corrente aplicaram-se a um par dos terminais do transistor controlam a corrente com uns outros pares de terminais. Porque o poder controlado (da saída) pode ser mais alto do que o poder de controlo (da entrada), um transistor pode amplificar um sinal. Hoje, alguns transistor são empacotados individualmente, mas muito mais são encontradas encaixados nos circuitos integrados.
3. Material
A maioria de transistor são feitos do silicone muito puro, e de algum do germânio, mas determinados outros materiais do semicondutor são usados às vezes. Um transistor pode ter somente um tipo do portador de carga, em um transistor do efeito de campo, ou pode ter dois tipos dos portador de carga em dispositivos do transistor de junção bipolar.
