HK UPPERBOND INDUSTRIAL LIMITED

LIMITADO INDUSTRIAL DA HK UPPERBOND

Manufacturer from China
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Modelo Through-Hole Version Mosfet Irfz44ns de Molins MK9 para máquinas de Kretek

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HK UPPERBOND INDUSTRIAL LIMITED
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Cidade:hong kong
Província / Estado:hong kong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrHenry
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Modelo Through-Hole Version Mosfet Irfz44ns de Molins MK9 para máquinas de Kretek

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Number modelo :Fabricante
Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :2 PCes
Termos do pagamento :T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Capacidade da fonte :10000 PCes/mês
Prazo de entrega :5-8 dias
Detalhes de empacotamento :Caixa
Diâmetro do cigarro :5.4mm - 8.0mm
Cor :Cinza/prata
Porto de expedição :Guangzhou, Shanghai
Máquina aplicável :Fabricante de cigarro
Modelos de máquina :Protos, passim, MK8, MK9,
Circunstância :Brandnew
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Modelo Through-Hole Version Mosfet Irfz44ns de Molins MK9 para máquinas de Kretek

Um transistor é um dispositivo de semicondutor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos e a corrente elétrica. Os transistor são um dos blocos de apartamentos básicos de eletrônica moderna. É composta do material do semicondutor geralmente com pelo menos três terminais para a conexão a um circuito externo.

Avaliações e características do Fonte-dreno

Parâmetro Tipo Máximo.
É Corrente de fonte contínua (diodo do corpo) 49
Ismo Corrente de fonte pulsada (diodo do corpo)① 160
VsD Tensão dianteira do diodo 1,3
trr Tempo de recuperação reversa 63 95
Qrr Carga reversa da recuperação 170 260

Rádio de transistor do bolso

O primeiro rádio de transistor do bolso do “protótipo” foi mostrado por INTERMETALL (uma empresa fundada por Herbert Mataré em 1952) no Internationale Funkausstellung Düsseldorf entre o 29 de agosto de 1953 e o 6 de setembro de 1953. O primeiro rádio de transistor do bolso da “produção” era a regência TR-1, liberada em outubro de 1954.

Produção em massa

Nos anos 50, o coordenador egípcio Mohamed Atalla investigou as propriedades de superfície de semicondutores do silicone em Bell Labs, onde propôs um método novo da fabricação do dispositivo de semicondutor, revestindo uma bolacha de silicone com uma camada de isolamento de óxido de silicone de modo que a eletricidade pudesse confiantemente penetrar ao silicone de condução abaixo, superando os estados de superfície que impediram que a eletricidade alcance a camada semiconducting. Isto é sabido como o passivation de superfície, um método que se torne crítico à indústria do semicondutor como ele faça mais tarde possível a produção em massa de circuitos integrados do silicone.

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