HK UPPERBOND INDUSTRIAL LIMITED

LIMITADO INDUSTRIAL DA HK UPPERBOND

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Peças da máquina de embalagem do cigarro do transistor do silicone do perfil baixo Irfz44ns

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Cidade:hong kong
Província / Estado:hong kong
País / Região:china
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Peças da máquina de embalagem do cigarro do transistor do silicone do perfil baixo Irfz44ns

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Number modelo :Fabricante
Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :2 PCes
Termos do pagamento :T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Capacidade da fonte :10000 PCes/mês
Prazo de entrega :5-8 dias
Detalhes de empacotamento :Caixa
Porto de expedição :Guangzhou, Shanghai
Dureza :Aumentado extremamente
Outros modelos :Skoda, CME, Sasib
Diâmetro do cigarro :5.4mm - 8.0mm
Modelos de máquina :Protos, passim, MK8, MK9,
Material :De aço inoxidável tratado
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Peças da máquina de embalagem do cigarro do transistor do silicone do perfil baixo Irfz44ns

Um transistor é um dispositivo de semicondutor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos e a corrente elétrica. Os transistor são um dos blocos de apartamentos básicos de eletrônica moderna. É composta do material do semicondutor geralmente com pelo menos três terminais para a conexão a um circuito externo.

Material

A maioria de transistor são feitos do silicone muito puro, e de algum do germânio, mas determinados outros materiais do semicondutor são usados às vezes. Um transistor pode ter somente um tipo do portador de carga, em um transistor do efeito de campo, ou pode ter dois tipos dos portador de carga em dispositivos do transistor de junção bipolar.

Transistor de junção bipolar

Os primeiros transistor de junção bipolar foram inventados por William Shockley dos laboratórios de Bell, que se aplicou para a patente (2.569.347) o 26 de junho de 1948. O 12 de abril de 1950, os químicos Gordon Teal de Bell Labs e Morgan Sparks tinham produzido com sucesso um transistor de amplificação de trabalho do germânio da junção bipolar de NPN.

Produção em massa

Nos anos 50, o coordenador egípcio Mohamed Atalla investigou as propriedades de superfície de semicondutores do silicone em Bell Labs, onde propôs um método novo da fabricação do dispositivo de semicondutor, revestindo uma bolacha de silicone com uma camada de isolamento de óxido de silicone de modo que a eletricidade pudesse confiantemente penetrar ao silicone de condução abaixo, superando os estados de superfície que impediram que a eletricidade alcance a camada semiconducting. Isto é sabido como o passivation de superfície, um método que se torne crítico à indústria do semicondutor como ele faça mais tarde possível a produção em massa de circuitos integrados do silicone.

Peças da máquina de embalagem do cigarro do transistor do silicone do perfil baixo Irfz44ns

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