HK UPPERBOND INDUSTRIAL LIMITED

LIMITADO INDUSTRIAL DA HK UPPERBOND

Manufacturer from China
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Detector rápido Nano do empacotador do cigarro do interruptor Irfz44ns de Sasib 3000

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HK UPPERBOND INDUSTRIAL LIMITED
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Cidade:hong kong
Província / Estado:hong kong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrHenry
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Detector rápido Nano do empacotador do cigarro do interruptor Irfz44ns de Sasib 3000

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Number modelo :Fabricante
Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :2 PCes
Termos do pagamento :50% pagamento à vista
Capacidade da fonte :10000 PCes/mês
Prazo de entrega :5-8 dias
Detalhes de empacotamento :Caixa
Material :Aço inoxidável tratado
Modelos de máquinas :Protos, Passim, MK8, MK9,
Capacidade :800-10.000 cigarros/min
Diâmetro do cigarro :5,4 mm - 8,0 mm
Porto de expedição :Guangzhou, Shanghai
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Detector rápido Nano do empacotador do cigarro do interruptor Irfz44ns de Sasib 3000

Um transistor é um dispositivo de semicondutor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos e a corrente elétrica. Os transistor são um dos blocos de apartamentos básicos de eletrônica moderna. É composta do material do semicondutor geralmente com pelo menos três terminais para a conexão a um circuito externo.

Autorrádio do Todo-transistor

O primeiro autorrádio do todo-transistor da “produção” foi desenvolvido por Chrysler e os corporaçõs e de Philco anunciou-se na edição do 28 de abril de 1955 de Wall Street Journal. Chrysler tinha feito o autorrádio do todo-transistor, Mopar 914HR, disponível modelo como uma opção que começa na queda 1955 para sua nova linha de Chrysler 1956 e de carros imperiais que bateu primeiramente os assoalhos da sala de exposições do negócio o 21 de outubro de 1955.

Importância

Os transistor são os componentes ativos chaves em praticamente toda a eletrônica moderna. Muitos consideram assim o transistor ser uma das grandes invenções do século XX.

A invenção do primeiro transistor em Bell Labs foi nomeada um marco miliário de IEEE em 2009. A lista de marcos miliários de IEEE igualmente inclui as invenções do transistor de junção em 1948 e do MOSFET em 1959.

Avaliações máximas absolutas

Parâmetro Máximo. Unidades
Identificação @ Tq = 25°C Corrente contínua do dreno, Vgs @ 10V 49
lD @ Tc = 100°C Corrente contínua do dreno, Vgs @ 10V 35
Idm Corrente pulsada do dreno① 160
@Ta do PALÁDIO = 25°C Dissipação de poder 3,8 W
Paládio @TC = 25°C Dissipação de poder 94 W
Fator Derating linear 0,63 W/°C
Vgs Tensão da Porta-à-fonte ±20 V
Iar Corrente da avalancha① 25
Orelha Avalancha repetitiva Energy® 9,4 mJ
dv/dt Recuperação máxima dv/dt do diodo③ 5,0 V/ns
Tj Junção de funcionamento e -55 + a 175 °C

Detector rápido Nano do empacotador do cigarro do interruptor Irfz44ns de Sasib 3000

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