HK UPPERBOND INDUSTRIAL LIMITED

LIMITADO INDUSTRIAL DA HK UPPERBOND

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Transistor D2PAK do silicone de Hauni Max Super Slim Advanced Process

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Cidade:hong kong
Província / Estado:hong kong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrHenry
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Transistor D2PAK do silicone de Hauni Max Super Slim Advanced Process

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Number modelo :Fabricante
Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :2 PCes
Termos do pagamento :T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Capacidade da fonte :10000 PCes/mês
Prazo de entrega :5-8 dias
Detalhes de empacotamento :Caixa
Cor :Cinza/prata
Cortando o material :Lado do filtro
Termos de envio :EXW, CORRENTE DE RELÓGIO, CFR, CIF
Tipo :Upperbond
Circunstância :Brandnew
Frete :Aramex, DHL, Fedex, TNT, etc.
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Transistor D2PAK do silicone de Hauni Max Super Slim Advanced Process

Um transistor é um dispositivo de semicondutor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos e a corrente elétrica. Os transistor são um dos blocos de apartamentos básicos de eletrônica moderna. É composta do material do semicondutor geralmente com pelo menos três terminais para a conexão a um circuito externo.

Autorrádio do Todo-transistor

O primeiro autorrádio do todo-transistor da “produção” foi desenvolvido por Chrysler e os corporaçõs e de Philco anunciou-se na edição do 28 de abril de 1955 de Wall Street Journal. Chrysler tinha feito o autorrádio do todo-transistor, Mopar 914HR, disponível modelo como uma opção que começa na queda 1955 para sua nova linha de Chrysler 1956 e de carros imperiais que bateu primeiramente os assoalhos da sala de exposições do negócio o 21 de outubro de 1955.

Transistor do Ponto-contato

Em 1948, o transistor do ponto-contato foi inventado independentemente por físicos alemães Herbert Mataré e Heinrich Welker ao trabalhar no DES Freins e Signaux Westinghouse de Compagnie, uma subsidiária de Westinghouse situada em Paris. Mataré teve a experiência precedente em retificadores de cristal tornando-se do silicone e do germânio no esforço alemão do radar durante a segunda guerra mundial. Usando este conhecimento, começou a pesquisar o fenômeno da “interferência” em 1947.

IRFZ44NS/LPbF

Parâmetro Mínimo.
V (BR) DSS Tensão de divisão da Dreno-à-fonte 55
△仏 Tj de V (BR) DSS Temp da tensão de divisão. Coeficiente
RDS (sobre) Em-resistência estática da Dreno-à-fonte
VGS (th) Tensão do ponto inicial da porta 2,0
gts Transcondutância dianteira 19
bss Corrente do escapamento da Dreno-à-fonte
perda Escapamento dianteiro da Porta-à-fonte
Escapamento reverso da Porta-à-fonte
Qg Carga total da porta
Qgs Carga da Porta-à-fonte
Qgd Carga do Porta-à-dreno (“Miller”)
TD (sobre) Tempo de atraso de ligação
tr Tempo de elevação
TD (fora) Tempo de atraso da volta-Fora
tf Tempo de queda
Ls Indutância interna da fonte
Cjss Capacidade entrada
Coss Capacidade de saída
Crss Capacidade reversa de transferência
Eas Única avalancha Energy® do pulso

Transistor D2PAK do silicone de Hauni Max Super Slim Advanced Process

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