Guangzhou Topfast Technology Co., Ltd.
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Descrição do produto
Produtos desemicondutordiscretos de alta tensão de IXGH24N170 IXYS IGBT IXGH24IGBT1700V50A250WTO247AD
Especificação: IGBT de alta tensão NPT 1700 V 50 A 250 W através do furo TO-247AD
| Número da peça | IXGH24N170 |
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Categoria
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Produtos de semicondutor discretos
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Transistor - IGBTs - únicos
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Mfr
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IXYS
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Série
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-
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Pacote
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Tubo
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Estado da parte
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Ativo
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Tipo de IGBT
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NPT
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Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima)
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1700 V
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Atual - coletor (CI) (máximo)
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50 A
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Atual - coletor pulsado (Icm)
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150 A
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Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI
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3.3V @ 15V, 24A
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Poder - máximo
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250 W
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Energia de comutação
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8mJ (fora)
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Tipo entrado
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Padrão
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Carga da porta
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106 nC
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TD (de ligar/desligar) @ 25°C
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42ns/200ns
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Condição de teste
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1360V, 50A, 5Ohm, 15V
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Temperatura de funcionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montando o tipo
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Através do furo
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Pacote/caso
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TO-247-3
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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TO-247AD
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Número baixo do produto
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IXGH24
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| Número da peça | IXGH24N170 IXGT24N170 |
| Número da peça baixa | IXGH24 |
| UE RoHS | Complacente com isenção |
| ECCN (E.U.) | EAR99 |
| Estado da parte | Ativo |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
|---|---|
| Estado de RoHS | ROHS3 complacente |
| Nível da sensibilidade de umidade (MSL) | 1 (ilimitado) |
| Estado do ALCANCE | ALCANCE não afetado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
8541.29.0095 |