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dispositivos de semicondutor discretos 06N90E de 900V 6A FMV06N90E FMH06N90E

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Província / Estado:guangdong
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Descrição do produto

 

Semicondutores discretos 900V 6A de 06N90E FMV06N90E FMH06N90E

 

MOSFET do poder do N-canal de IRF1404 IRF1404PBF IRF1404Z IRF1404ZPBF 40V único em um pacote TO-220

Sobre IRF1404PBF:

 

Sumário das características
MOSFET do poder do N-canal de IRF1404 40V único em um pacote TO-220
Estrutura de pilha planar para SOA largo
Aperfeiçoado para a disponibilidade a mais larga dos sócios da distribuição
Qualificação do produto de acordo com o padrão de JEDEC
Pacote do poder da superfície-montagem do padrão do setor
avaliação Alto-atual

 

Benefícios:

Aspereza aumentada
compatibilidade do Multi-vendedor
Nível da qualificação do padrão do setor
O pinout padrão permite a gota na substituição
Capacidade levando atual alta

Especificações técnicas do produto

Parametrics IRF1404
Identificação (@25°C) máximo 202 A
Montagem THT
Ptot máximo 200 W
Pacote TO-220
Polaridade N
QG (tipo @10V) 131 nC
Qgd 42 nC
RDS (sobre) (@10V) máximo mΩ 4
RthJC máximo 0,75 K/W
Características especiais SOA largo
Tj máximo °C 175
VDS máximo 40 V
Minuto de VGS (th) máximo 3 V 2 V 4 V
VGS máximo 20 V

 

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