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Diodo de Schottky da eficiência elevada da perda de baixa potência para a fonte de alimentação de alta frequência do interruptor

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Cidade:dongguan
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
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Diodo de Schottky da eficiência elevada da perda de baixa potência para a fonte de alimentação de alta frequência do interruptor

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Number modelo :Diodos Schottky
Lugar de origem :Dongguan China
Quantidade de ordem mínima :negociação
Termos do pagamento :T/T
Capacidade da fonte :2000000 pelo mês
Prazo de entrega :negociação
Detalhes de empacotamento :Pacote/negociação da exportação
Tipo :Diodo de Schottky
Características :Estrutura comum do cátodo
Material :silicone
Máximo Dianteiro Atual :30A, 30A
Tensão dianteira máxima :0.9V, 0.9V
Tensão reversa máxima :200V
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Diodo Schottky de baixa perda de energia e alta eficiência para fonte de alimentação de comutação de alta frequência

MBR10100.pdf


O diodo Schottky recebeu o nome de seu inventor, Dr. Schottky (Schottky), e SBD é a abreviação de Schottky Barrier Diode (Diodo de Barreira Schottky, abreviado como SBD).O SBD não é feito pelo princípio de contato do semicondutor do tipo P e do semicondutor do tipo N para formar a junção PN, mas usando o princípio da junção metal-semicondutor formada pelo contato do metal e do semicondutor.Portanto, o SBD também é chamado de diodo de metal semicondutor (contato) ou diodo de barreira de superfície, que é um tipo de diodo portador quente.


Características

1. Estrutura de cátodo comum
2. Baixa perda de energia, alta eficiência
3. Alta temperatura da junção operacional
4. Anel de proteção para proteção contra sobretensão, alta confiabilidade
5. Produto RoHS

Formulários

1. Interruptor de alta frequência Fonte de alimentação

2. Diodos de roda livre, aplicações de proteção de polaridade

CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS

SE(AV)

10(2×5)A

VF(max)

0,7V (@Tj=125°C)

Tj

175°C

VRRM

100 V

MENSAGEM DO PRODUTO

Modelo

marcação

Pacote

MBR10100

MBR10100

TO-220C

MBRF10100

MBRF10100

TO-220F

MBR10100S

MBR10100S

TO-263

MBR10100R

MBR10100R

TO-252

MBR10100V

MBR10100V

TO-251

MBR10100C

MBR10100C

TO-220

CLASSIFICAÇÕES ABSOLUTAS (Tc=25°C)

Parâmetro

Símbolo

Valor

Unidade

Tensão reversa de pico repetitivo

VRRM

100

V

Tensão máxima de bloqueio DC

VDC

100

V

Corrente direta média

TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F)

por dispositivo

por diodo

SE(AV)

10 5

A

Surto de corrente direta não repetitiva 8,3 ms de meia onda senoidal única (Metodo JEDEC)

IFSM

120

A

Temperatura máxima de junção

Tj

175

°C

Amplitude Térmica de armazenamento

TSTG

-40~+150

°C


Diodo de Schottky da eficiência elevada da perda de baixa potência para a fonte de alimentação de alta frequência do interruptor
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