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SOT-89 D882 NPN Transistores Eletrônicos Encapsulação de Energia em Plástico

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Cidade:dongguan
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
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SOT-89 D882 NPN Transistores Eletrônicos Encapsulação de Energia em Plástico

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Número do modelo :D882
Local de origem :Dongguan China
Quantidade mínima de encomenda :1000 PCS
Condições de pagamento :T/T, União Ocidental
Capacidade de abastecimento :5000 peças
Tempo de entrega :3weeks
Detalhes da embalagem :Padrão
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SOT-89 D882 Transistores de plástico encapsulado

 

Características
 
Dissipação de energia
 
 

MÁXIMO Classificações (T)a)= 25°C Salvo disposição em contrário (Nota)

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Voltagem de base do colector 40 V
VDiretor Executivo Voltagem colector-emissor 30 V
VEBO Voltagem de base do emissor 6 V
Eu...C Corrente do colector -contínua 3 A
PC Dispersão do poder do coletor 0.5 W
TJ Temperatura de junção 150 °C
TSgt. Temperatura de armazenamento -55 ~ 150 °C

 

Características elétricas ((Ta=25°C, salvo indicação em contrário)

Parâmetro Símbolo Condições de ensaio Min. Tipo Max. Unidade
Tensão de ruptura da base do colector CBO IC = 100μA, IE=0 40     V
Tensão de ruptura colector-emitente V ((BR) CEO IC = 10mA, IB = 0 30     V
Voltagem de ruptura da base do emissor V ((BR) EBO IE= 100μA, IC=0 6     V
Corrente de corte do colector ICBO VCB= 40V, IE=0     1 μA
Corrente de corte do colector ICEO VCE= 30V, IB=0     10 μA
Corrente de corte do emissor IEBO VEB = 6V, IC = 0     1 μA
Corrente de CC ganho hFE(1) VCE=2V, IC=1A 60   400  
  hFE(2) VCE=2V, IC=100mA 32      
Voltagem de saturação do colector-emissor VCE (sat) IC= 2A, IB= 0,2 A     0.5 V
Voltagem de saturação do emissor de base VBE (sat) IC= 2A, IB= 0,2 A     1.5 V
Frequência de transição fT VCE = 5V, Ic = 0,1A f = 10MHz 50     MHz

 

Classificação de hFE(1)

 

Classe R O Y GR
Distância 60 a 120 100 a 200 160 a 320 200 a 400

 

Tipico Características

SOT-89 D882 NPN Transistores Eletrônicos Encapsulação de Energia em Plástico

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