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VS-GT80DA120U Transistores Bipolares de Portão Isolado Vishay Semicondutores

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Cidade:shenzhen
País / Região:china
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VS-GT80DA120U Transistores Bipolares de Portão Isolado Vishay Semicondutores

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Descrição :IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227
Categoria :Produtos semicondutores discretosTransistoresIGBTsMódulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo) :139 A
Estatuto do produto :Atividade
Tipo de montagem :Montura do chassi
Pacote :Em granel
Série :HEXFRED®
Embalagem / Caixa :SOT-227-4, miniBLOC
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic :2.55V @ 15V, 80A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo) :1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor :SOT-227
Mfr :General semicondutor de Vishay - divisão dos diodos
Temperatura de funcionamento :-40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo) :100 μA
Tipo IGBT :Trincheira
Potência - Máximo :658 W
Input :Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce :4.4 nF @ 25 V
Configuração :Solteiro
Termistor NTC :Não
Número do produto de base :GT80
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Módulo IGBT Trench Single 1200 V 139 A 658 W Chassis Mount SOT-227

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