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MG75P12E2 Yangjie Tecnologia Eletrônica IGBT

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Cidade:shenzhen
País / Região:china
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MG75P12E2 Yangjie Tecnologia Eletrônica IGBT

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Descrição :Transistores - IGBTs - módulos E2
Categoria :Produtos semicondutores discretosTransistoresIGBTsMódulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo) :75 A
Estatuto do produto :Atividade
Tipo de montagem :Montura do chassi
Pacote :Em granel
Série :-
Embalagem / Caixa :Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic :2.25V @ 15V, 50A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo) :1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor :-
Mfr :Tecnologia Yangjie
Temperatura de funcionamento :-40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo) :1 mA
Tipo IGBT :-
Potência - Máximo :442 W
Input :retificador de ponte trifásico
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce :2.6 nF @ 25 V
Configuração :Inversor trifásico com freio
Termistor NTC :- Sim, sim.
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