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Corrente de vazamento do emissor da porta :+/- 250 nA
Categoria de produtos :Transistores IGBT
Estilo de montagem :Através do Buraco
Corrente contínua do colector a 25oC :80A
Paládio - dissipação de poder :283 W
Voltagem do colector-emissor VCEO Max :650 V
Embalagem / Caixa :TO-3P-3
Temperatura máxima de funcionamento :+ 175 C
Voltagem máxima do emissor da porta :+/- 30 V
Configuração :Solteiro
Voltagem de saturação do colector-emissor :1,6 V
Fabricante :STMicroelectrónica
Descrição :IGBT Transistores IGBT, série HB 650 V, 40 A de alta velocidade
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