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UDEL Chips Tech Co., Ltd.

Cidade:shenzhen

País / Região:china

Pessoa de contato:MissGrace Liang

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IXBF55N300

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Corrente de vazamento do emissor da porta :+/- 200 nA

Categoria de produtos :Transistores IGBT

Estilo de montagem :Através do Buraco

Corrente contínua do colector a 25oC :86 A

Paládio - dissipação de poder :357 W

Voltagem do colector-emissor VCEO Max :3 QUILOVOLTS

Embalagem / Caixa :ISOPLUS i4-Pak-3

Temperatura máxima de funcionamento :+ 150 C

Voltagem máxima do emissor da porta :+/- 25 V

Configuração :Solteiro

Voltagem de saturação do colector-emissor :2,7 V

Fabricante :IXYS

Descrição :Transistores IGBT de alta tensão BIMOSFET de ganho elevado

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O IXBF55N300, da IXYS, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que estão em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!

IXBF55N300

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