VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

VBE TECHNOLOGY SHENZHEN CO., LTD Leading Intelligent RF Security Solutions Provider

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5850 - módulo de poder de 6425MHz Rf, amplificador de radiofrequência com o conector de SMA/BNC

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
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5850 - módulo de poder de 6425MHz Rf, amplificador de radiofrequência com o conector de SMA/BNC

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Número de modelo :VBP58-64GU
Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :1SET
Termos do pagamento :T / União, T Ocidental,
Capacidade da fonte :10000 PCes pelo mês
Tempo de entrega :7-15 dias
Detalhes de empacotamento :embalagem neutra
Nome do produto :C-faixa 5850-6425MHz RF acima do conversor
Faixa de frequência da entrada :70MHz±20MHz
Escala de frequência da saída :5850 megahertz ~6425 megahertz
Ganho da conversão :30dB~50dB
Conector :SMA/N/BNC
Fonte de Alimentação :C.A. 153V~265V
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C-faixa 5850-6425MHz RF acima do conversor, módulo do amplificador de potência do RF

Instruções do módulo do amplificador de potência de VBE RF:

As soluções de VBE de módulos do RF que incluem a fonte do sinal da radiofrequência, o amplificador de potência de radiofrequência (PA), o amplificador de baixo nível de ruído (LNA), a unidade exterior da radiofrequência (ODU) e a solução personalizada do módulo da radiofrequência, a faixa da P-onda da tampa da faixa de frequência, a faixa da L-onda, a faixa da S-onda, a faixa da Ku-onda e a Ka-onda unem-se e assim por diante, amplamente aplicando-se no sistema do equipamento da parte alta. O módulo adota um número de tecnologia avançada no produto que projeta e satisfaz a exigência diferente da função e do parâmetro de desempenho.


Especificações técnicas:

Artigo Índice Observações
Escala de InputFrequency 70MHz±20MHz
Escala de OutputFrequency 5850 megahertz ~6425 megahertz
Etapa da frequência 1MHz /125KHz/1KHz
Compressão do DB P1 ≥+10dBm Selecionável
Ganho da conversão 30dB~50dB
Controle do ganho 50dB/30dB, etapa 1dB/0.5dB Selecionável
Nivelamento do ganho ±2.5dB/In-band, ±0.8dB/40MHz Selecionável
Estabilidade do ganho ±0.5dB
Estabilidade da frequência ±1×10-7/year, ±1×10-8/day
Ruído da fase -70dBc/Hz @100Hz, -75dBc/Hz @1KHz
-80dBc/Hz @10KHz, -90dBc/Hz @100KHz
Escapamento de LO ≤-65dBm
Saída especulativo ≤-60dBc
intermodulação do Multi-portador ≤-42dBc (0dBm potência de saída duplo-carrierTotal)
Supressão do harmônico ≤-40dBc (0dBm potência de saída total)
Conector SMA/N/BNC Selecionável
Perda do retorno ≥ 20dB
Fonte de alimentação C.A. 153V~265V
Consumo de potência ≤40W
Temperatura de trabalho 0 ~50 graus Celsius
Temperatura de trabalho -10 a 60 graus Celsius
Dimensão 500×482.6×43.7mm

Características do produto:

  • Faixa de frequência larga;
  • Baixo ruído da fase;
  • Consumo da baixa potência, linearidade alta;
  • Processo híbrido do microconjunto, tamanho pequeno, estabilidade alta;
  • Variação da temperatura de funcionamento larga;
  • Disponível feito-à-medida


Aplicações:

  • Uma comunicação de Satallite;
  • Uma comunicação militar;
  • Bloqueando os sinais de rádio;
  • Contramedidas eletrônicas (ECM);
  • Comunicações móvéis;
  • Etc.
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