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1-2GHz, L-faixa, amplificador de baixo nível de ruído LNA do RF, módulo do amplificador de potência do RF
Modelo: VBP2GL
Instruções do módulo do amplificador de potência de VBE RF:
Soluções de VBE de módulos do RF que incluem a fonte do sinal da radiofrequência, o amplificador de potência de radiofrequência (PA), o amplificador de baixo nível de ruído (LNA), a unidade exterior da radiofrequência (ODU) e a solução personalizada do módulo da radiofrequência, a faixa da P-onda da tampa da faixa de frequência, a faixa da L-onda, a faixa da S-onda, a faixa da Ku-onda e a faixa da Ka-onda e assim por diante, amplamente aplicando-se no sistema do equipamento da parte alta. O módulo adota um número de tecnologia avançada no produto que projeta e satisfaz a exigência diferente da função e do parâmetro de desempenho.
Características:
1. Faixa de frequência larga;
2. baixo ruído da saída;
3. consumo da baixa potência, linearidade alta;
4. processo do microconjunto do híbrido, tamanho pequeno, estabilidade alta;
5. variação da temperatura de funcionamento larga;
6. disponível feito-à-medida
Especificações técnicas:
| NÃO. | Artigo | Descrição | Máximo típico do minuto | Unidade |
| 1 | Faixa de frequência | A B C |
1,5 1,6 1,4 1,7 1,1 1,6 |
Gigahertz |
| 2 | Ganho | Selecionável | 40 50 60 | DB |
| 3 | Nivelamento do ganho | Faixa completa | +/--0,5 | DB |
| 4 | VSWR | Entrada/saída | 1.3:1 | |
| 5 | Temperatura de ruído | 23°C | 45 | °K |
| 6 | poder do ponto da compressão 1dB | ≥+10 | dBm | |
| 7 | ó ordem IMD | Dual-tone-12dBm | ≤-51 | dBc |
| 8 | Estabilidade do ganho | 24 horas | +/--0,5 | DB |
| 9 | Conector | Entrada/saída | N ou SMA | |
| 10 | Sobrecarga da entrada | Sobrecarga 1min | 0 | dBm |
| 11 | Tensão de funcionamento | C.C. | +12 +15 | V |
| 12 | Temperatura de trabalho | -40~+70 | °C |
Aplicações: