VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

VBE TECHNOLOGY SHENZHEN CO., LTD Leading Intelligent RF Security Solutions Provider

Manufacturer from China
Fornecedor verificado
8 Anos
Casa / Produtos / RF Power Amplifier Module /

Sem fio/rádio/faixa de frequência de faixa larga do gigahertz do amplificador 1,1 – 1,7 do Rf

Contate
VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
Visite o site
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrCharms Zhao
Contate

Sem fio/rádio/faixa de frequência de faixa larga do gigahertz do amplificador 1,1 – 1,7 do Rf

Pergunte o preço mais recente
Número de modelo :VBE-200PA
Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :1SET
Termos do pagamento :T/T, Western Union,
Capacidade da fonte :10000 PCes pelo mês
Tempo de entrega :7-15 dias
Detalhes de empacotamento :embalagem neutra
Nome do produto :PA do amplificador de potência do RF da faixa de Ku
Faixa de frequência :14.0 - 14,5
Temperatura de trabalho :0~+50°C
Tensão de funcionamento :C.C. +15V
more
Contate

Add to Cart

Encontre vídeos semelhantes
Ver descrição do produto

Sem fio/rádio/faixa de frequência de faixa larga do gigahertz do amplificador 1,1 – 1,7 do Rf
 
PA de circuito integrado do amplificador de potência do poder superior 1.1-1.7GHz RF, módulo do amplificador de potência do RF

 


Sem fio/rádio/faixa de frequência de faixa larga do gigahertz do amplificador 1,1 – 1,7 do Rf

 

 

 

 

CARACTERÍSTICAS DO AMPLIFICADOR DE POTÊNCIA:

 

Projeto linear da classe A/AB GaN

Sistema montado cremalheira

 

Largura de banda larga instantânea

 

Apropriado para EMI/RFI de faixa larga, laboratório, Comm., e aplicações do EW

 

Apropriado para pulso e todos os padrões da modulação do monocanal

Circuitos de proteção incorporados

 

Confiança e aspereza altas para aplicações móveis

 
 
ESPECIFICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DE POTÊNCIA:
 

Parâmetro   Especificação   Notas  
Escala de frequência do funcionamento   1,1 – 1,7 gigahertz      
Saturação das saídas de potência @   Tipo de 300 watts   CW  
Saídas de potência @ P1dB   Um minuto de 200 watts      
Ganho do poder     minuto do DB 54   Pin=0dBm para a operação normal  
Nivelamento do ganho do poder   3,0 DB p-p máximo   Poder de entrada constante  
Características do pulso Largura   Dever   PRF    
100 nS            
             
Perda de retorno entrada     -10 DB máximo   Relativo a 50 ohms  
Intermodulação do 2-tom (IMD)     -30 tipo do dBc   44dBm/Tone, = 1MHz  
Figura de ruído     <20 dB="">      
Harmônicos   <-20 dBc="" Typ="">   Em potência de saída avaliado  
Especulativo   -60 dBc máximo   Não-harmônicos  
Tensão de funcionamento   180 - 240 VAC      
Consumo de potência   1500 watts máximo   Na lota avaliado  
Proteção do poder entrado   dBm +20 máximo   <10 Sec="" without="" damage="">  
Proteção da carga VSWR     5: 1 máximo   <1 minute="" at="" rated="" Pout="">  
CARACTERÍSTICAS AMBIENTAIS              
Parâmetro   Especificação   Notas  
Temperatura ambiental de funcionamento     °C 0 a +50      
Temperatura de armazenamento   °C -40 a +85      
Humidade relativa     5 a 95%   Não-condensação  
ESPECIFICAÇÕES MECÂNICAS              
Parâmetro   Especificação   Notas  
Dimensões W x H x D   430 x 222 x 560 milímetros   5U - Com exclusão dos punhos  
Peso     35 quilogramas      
Em dos conectores do RF/para fora   Tipo-n fêmea   Painel dianteiro ou traseiro  
Alimentação CA/relação IEC 60320-C14/9-Pin D-secundário Ou equivalente  
Refrigerar   Construído em refrigerar do fã   Velocidade variável  
OPCIONAL: Monitor & controle de Digitas: TCP/IP dos ethernet RJ-45, RS422/485, USB Opcional  
Inquiry Cart 0