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C.C. aos transistor de GaN do poder superior da Largo-faixa do nitreto 28V do gálio do transistor de poder de 4GHz 60W RF

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
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C.C. aos transistor de GaN do poder superior da Largo-faixa do nitreto 28V do gálio do transistor de poder de 4GHz 60W RF

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Número de modelo :VBE6006H
Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :1pcs
Capacidade da fonte :10k
Tempo de entrega :5-8 dias de trabalho
Detalhes de empacotamento :embalagem neutra
Circunstância :Novo e original
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