Chongqing Newsin Technology Co., Ltd
engaged in the Manufacturing, Sales, Research of chemicals and special materials.
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2 polegadas GaN Templates:
Dimensões: ± 0.1mm de Ф 50.8mm
Espessura: 4 µm, µm 20; µm 4
Orientação: ± 0.5° do C-plano (0001)
Tipo da condução: N-tipo (Undoped); N-tipo (Si-lubrificado); P-tipo (MG-lubrificado)
Resistividade (300K): < 0,5 Ω·cm; < 0,05 Ω·cm; ~ 10 Ω·cm
Concentração de portador: < 5x1017 cm-3; > 1x1018 cm-3; > 6x1016 cm-3
Mobilidade: ~ 300cm2/V·s; ~ 200 cm2/V·s; ~ 10 cm2/V·s
Densidade de deslocação: Menos do que os cm2 5x108
Estrutura da carcaça: GaN na safira (padrão: Opção de SSP: DSP)
Área de superfície útil: > 90%
4 polegadas GaN Templates:
Dimensões: ± 0.1mm de Ф 50.8mm
Espessura: 4 µm, µm 20; µm 4
Orientação: ± 0.5° do C-plano (0001)
Tipo da condução: N-tipo (Undoped); N-tipo (Si-lubrificado); P-tipo (MG-lubrificado)
Resistividade (300K): < 0,5 Ω·cm; < 0,05 Ω·cm: ~ 10 Ω·cm
Concentração de portador: < 5x1017 cm-3; > 1x1018 cm-3; > 6x1016 cm-3
Mobilidade: ~ 300cm2/V·s; ~ 200 cm2/V·s; ~ 10 cm2/V·s
Densidade de deslocação: Menos do que os cm2 5x108
Estrutura da carcaça: GaN na safira (padrão: Opção de SSP: DSP)
Área de superfície útil: > 90%