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Infineon Technologies LDMOS FET 65V 2.14GHz 15.8dB Transistor de ganho para amplificação de potência de RF

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Shenzhen Yudatong Trading Co., Ltd.
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDong Chris
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Infineon Technologies LDMOS FET 65V 2.14GHz 15.8dB Transistor de ganho para amplificação de potência de RF

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Categoria :Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto :Obsoletos
Tipo de montagem :Montagem de superfície
Voltagem nominal :65 V
Pacote :Tape & Reel (TR)
Série :-
Figura de ruído :-
Pacote de dispositivos do fornecedor :H-37260-2
Tensão - teste :30 V
Mfr :Tecnologias Infineon
Frequência :2.14 GHz
Ganho :150,8 dB
Embalagem / Caixa :2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
Atual - teste :1,6 A
Potência - saída :50 W
Tecnologia :ldmos
Câmbio de corrente nominal (Amp) :10µA
Número do produto de base :PTFA212001
Descrição :IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2
Resíduos :Em existência
Método de transporte :LCL, AIR, FCL, Express
Condições de pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
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RF Mosfet 30 V 1,6 A 2,14 GHz 15,8 dB 50W H-37260-2
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