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FET RF LDMOS obsoleto Transistor de 2,3 GHz 16W Chassis de potência Montar 65V Configuração dupla

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDong Chris
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FET RF LDMOS obsoleto Transistor de 2,3 GHz 16W Chassis de potência Montar 65V Configuração dupla

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Categoria :Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto :Obsoletos
Tipo de montagem :Montura do chassi
Voltagem nominal :65 V
Pacote :Tape & Reel (TR)
Configuração :Dual
Série :-
Figura de ruído :-
Pacote de dispositivos do fornecedor :NI-780-4
Tensão - teste :28 V
Mfr :NXP EUA Inc.
Frequência :2.3GHz
Ganho :140,6 dB
Embalagem / Caixa :NI-780-4
Atual - teste :280 miliampères
Potência - saída :16W
Tecnologia :ldmos
Câmbio de corrente nominal (Amp) :-
Número do produto de base :MRF8
Descrição :FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780-4
Resíduos :Em existência
Método de transporte :LCL, AIR, FCL, Express
Condições de pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
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RF Mosfet 28 V 280 mA 2,3 GHz 14,6 dB 16 W NI-780-4
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