STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED
A ELETRÔNICA CO. DE STJK (HK), LIMITOU Qualidade primeiramente, reputação primeiramente, serviço primeiramente, clientes primeiramente.
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DESCRIÇÃO DO PRODUTO
Este MOSFET foi projetado minimizar a resistência do em-estado (o RDS (sobre)) no entanto para manter o desempenho de comutação superior, fazendo o
ideal para aplicações da gestão do poder da eficiência elevada.
PROPRIEDADES DO PRODUTO
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Estado do produto
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Ativo
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Tipo do FET
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N-canal
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Tecnologia
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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100 V
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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700mA (Ta)
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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6V, 10V
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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700mOhm @ 1.5A, 10V
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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4V @ 250µA
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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2,9 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacidade da entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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138 PF @ 50 V
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Característica do FET
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-
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Dissipação de poder (máxima)
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625mW (Ta)
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Temperatura de funcionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montando o tipo
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Montagem de superfície
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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SOT-23-3
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Pacote/caso
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número baixo do produto
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ZXMN10
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