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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SI7922DN-T1-GE3

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País / Região:china
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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SI7922DN-T1-GE3

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Part Number :SI7922DN-T1-GE3
Manufacturer :Vishay Siliconix
Description :MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
Category :Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Family :Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Series :TrenchFET®
Place of Origin :Original
MOQ :Negotiable
Price :Negotiable
Delivery Time :Negotiable
Payment Terms :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Supply Ability :100000
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Especificações SI7922DN-T1-GE3

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal 2 (duplo)
Característica do FET Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss) 100V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 1.8A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 195 mOhm @ 2.5A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 3.5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 8nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds -
Poder - máximo 1.3W
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso PowerPAK® 1212-8 duplo
Pacote do dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8 duplo
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento SI7922DN-T1-GE3

Detecção

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