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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

País / Região:china

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China Microplaqueta de carregamento da soldadura do inversor da pilha dos transistor de poder NGTB40N120SWG de IGBT wholesale

Microplaqueta de carregamento da soldadura do inversor da pilha dos transistor de poder NGTB40N120SWG de IGBT

Name: Microplaqueta de carregamento da soldadura do inversor da pilha dos transistor de poder NGTB40N120SWG de IGBT
Brand: onsemi
Price: 1 USD

Pergunte o preço mais recente

Brand Name :onsemi

Model Number :NGTB40N120SWG

MOQ :Negotiable

Price :Negotiable

Payment Terms :T/T, D/P, D/A, L/C, Western Union, MoneyGram

Supply Ability :Available Quantity 30000 Pieces

Delivery Time :Negotiable

Product Model :NGTB40N120SWG

Supplier Package :TO-247-3

Brief Description :Insulated Gate Bipolar Transistor

Product Category :IGBT Power Module

Application Areas :Welding

Date Of Manufacture :Within A Year

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Gama de produtos

Microplaqueta de carregamento da soldadura do inversor da pilha dos transistor NGTB40N120SWG do módulo de poder de Igbt

Características do App

TJmax = 175°C • Diodo reverso rápido macio da recuperação
Aperfeiçoado para o interruptor de alta velocidade
10 nós para procurar um caminho mais curto a capacidade
Estes são dispositivos de Pb−Free

Dados básicos

Atributo de produto	Valor de atributo
Fabricante:	onsemi
Categoria de produto:	Transistor de IGBT
RoHS:	Detalhes
Tecnologia:	Si
Pacote/caso:	TO-247-3
Montando o estilo:	Através do furo
Configuração:	Único
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:	1,2 quilovolts
Tensão de saturação do Coletor-emissor:	2 V
Tensão máxima do emissor da porta:	20 V
Corrente de coletor contínua em 25 C:	80 A
Paládio - dissipação de poder:	535 W
Temperatura de funcionamento mínima:	- 55 C
Temperatura de funcionamento máximo:	+ 175 C
Empacotamento:	Tubo
Tipo:	onsemi
Corrente de coletor contínua CI máxima:	40 A
Corrente do escapamento do Porta-emissor:	nA 200
Tipo de produto:	Transistor de IGBT
	30
Subcategoria:	IGBTs
Peso de unidade:	1,340411 onças

FOLHA DE DADOS DA TRANSFERÊNCIA

Transistor NGTB40N120SWG.pdf do módulo de poder de IGBT

Aplicação

Amplamente utilizado na fase, concerto, uma comunicação da rede, Smartphones marca portáteis que os cadernos põem o Dongle das câmeras dos adaptadores

Processo da ordem

Adicione as peças ao formulário do RFQ	Submeta o RFQ	Nós respondemos dentro de 24 horas
Você confirma a ordem	Pagamento	Navio para fora sua ordem

Chip Diagram

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