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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SI7949DP-T1-E3

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País / Região:china
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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SI7949DP-T1-E3

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Número da peça :SI7949DP-T1-E3
Fabricante :Vishay Siliconix
Descrição :MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Categoria :Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família :Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Série :TrenchFET®
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :Negociável
Prazo de entrega :Negociável
Termos do pagamento :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :100000
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Especificações SI7949DP-T1-E3

Estado da parte Ativo
Tipo do FET P-canal 2 (duplo)
Característica do FET Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss) 60V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 3.2A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 64 mOhm @ 5A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 3V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 40nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds -
Poder - máximo 1.5W
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso PowerPAK® SO-8 duplo
Pacote do dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8 duplo
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento SI7949DP-T1-E3

Detecção

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