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| Estado da parte | Ativo |
|---|---|
| Tipo do FET | N e P-canal |
| Característica do FET | Porta do nível da lógica |
| Drene à tensão da fonte (Vdss) | 20V |
| Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C | 2.9A, 3.2A |
| RDS (máximo) @ na identificação, Vgs | 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Identificação de Vgs (th) (máximo) @ | 1.2V @ 250µA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
| Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 165pF @ 10V |
| Poder - máximo | 1.1W |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montando o tipo | Montagem de superfície |
| Pacote/caso | 8-SMD, ligação lisa |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | ChipFET™ |
| Expedição | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
| Circunstância | Fábrica original nova. |


