KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

O fornecedor do ponto em China, TECNOLOGIA CO. de YJDN, Ltd foi estabelecido em 2008. Um dos distribuidores os maiores dos componentes eletrônicos em Hong Kong e em Shenzhen, China.YDJN fornece uma s

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRF7329PBF

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País / Região:china
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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRF7329PBF

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Número da peça :IRF7329PBF
Fabricante :Infineon Technologies
Descrição :MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
Categoria :Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família :Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Série :HEXFET®
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :Negociável
Prazo de entrega :Negociável
Termos do pagamento :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :100000
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Especificações de IRF7329PBF

Estado da parte Não para projetos novos
Tipo do FET P-canal 2 (duplo)
Característica do FET Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss) 12V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 9.2A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 17 mOhm @ 9.2A, 4.5V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 900mV @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 57nC @ 4.5V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 3450pF @ 10V
Poder - máximo 2W
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso 8-SOIC (0,154", largura de 3.90mm)
Pacote do dispositivo do fornecedor 8-SO
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de IRF7329PBF

Detecção

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