KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

O fornecedor do ponto em China, TECNOLOGIA CO. de YJDN, Ltd foi estabelecido em 2008. Um dos distribuidores os maiores dos componentes eletrônicos em Hong Kong e em Shenzhen, China.YDJN fornece uma s

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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STP200NF03 únicos

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País / Região:china
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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STP200NF03 únicos

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Número da peça :STP200NF03
Fabricante :STMicroelectronics
Descrição :MOSFET N-CH 30V 120A TO-220
Categoria :Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família :Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Série :STripFET™ III
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :Negociável
Prazo de entrega :Negociável
Termos do pagamento :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :100000
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Especificações STP200NF03

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 30V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 120A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 140nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 4950pF @ 25V
Vgs (máximo) ±20V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 300W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 3,6 mOhm @ 60A, 10V
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-220AB
Pacote/caso TO-220-3
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento STP200NF03

Detecção

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